La tecnología UltraRAM nos promete lo que necesitamos para olvidarnos para siempre de nuestras unidades SSD

Más allá de los chips NAND Flash que nuestras computadoras, teléfonos inteligentes y otros dispositivos utilizan como almacenamiento secundario, hay vida. Una idea innovadora creada por un equipo de científicos del departamento de física de la Universidad de Lancaster en el Reino Unido ha adquirido mayor importancia en los últimos dos años. Su tecnología es excelente a primera vista, pero recientemente ha ocurrido algo que nos hace querer pensar en ello con gran detalle.

Esta innovación se llama circuitos integrados UltraRAM y los físicos que trabajan en ella han creado una empresa llamada Quinas con el objetivo de terminar el desarrollo de esta tecnología e iniciar su comercialización. Aunque los proyectos de esta naturaleza no siempre tienen éxito, éste tiene una base tecnológica muy sólida y ventajas atractivas sobre los chips NAND Flash tradicionales. Hemos decidido discutir esta tecnología con usted por los motivos enumerados anteriormente.

Por qué los circuitos integrados UltraRAM son tan interesantes.
Los físicos de Quinas afirman que su tecnología ha permitido crear circuitos integrados con la capacidad de almacenamiento de información no volátil y los tiempos de acceso de los chips de memoria DRAM. Las bondades de las memorias NAND Flash y DRAM se combinan así en su propuesta, por decirlo brevemente. En realidad, para nada. Además, garantizan que sus chips tienen una latencia diez veces menor que las memorias DRAM. Suena realmente agradable.

Sin embargo, estas no son las únicas ventajas de la tecnología UltraRAM. Sobre el papel, estos chips tienen una capacidad de almacenamiento de más de 1.000 años porque, según sus diseñadores, su vida útil es 4.000 veces mayor que la de los circuitos integrados NAND Flash. Si este es el caso, entonces sin duda se resolverán los problemas de confiabilidad y durabilidad que reducen la vida útil de los dispositivos de almacenamiento SSD.

La buena noticia sobre su consumo eléctrico es que los chips UltraRAM utilizan 100 veces menos electricidad que la DRAM producida en el mismo nodo litográfico. Más allá del hecho de que esta tecnología está siendo desarrollada por científicos cualificados de una universidad de renombre y de que Meta está interesada en ella, todo aquí suena sorprendentemente bien.

Sin embargo, en los próximos meses, los investigadores de Quinas recibirán nuevo hardware que les permitirá avanzar en su tecnología de integración. Los chips UltraRAM con los que trabajan actualmente se produjeron mediante litografía de 20 nm. En cualquier caso, el aparato MBE (Molecular Beam Epitaxy) y un conocido fenómeno cuántico como un túnel resonante son los dos pilares tecnológicos sobre los que se construye esta innovación.

El antimonuro de aluminio, el antimonuro de galio y el arseniuro de indio son los tres materiales compuestos semiconductores que forman la pila de capas que las máquinas MBE depositan sobre el sustrato. Si bien el efecto túnel resonante no es el tema central de este artículo, generalmente se entiende que es un mecanismo cuántico que permite que un electrón atraviese una barrera de energía. Sin embargo, hasta UltraRAM Cuando la tecnología está disponible comercialmente y demuestra que cumple todo lo que promete, la prudencia nos pide que la miremos con escepticismo. Pero luce fantástico. Eso está fuera de toda duda.

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Un partido revolucionario, si en verdad está empeñado en hacer y dirigir la revolución no puede renunciar al legítimo derecho de ser o formar parte de la vanguardia histórica que en efecto haga y dirija la revolución socialista en nuestro país, es de hipócritas decir que se lucha sin aspirar a tomar el poder y mucho más aún si se pretende desarrollar lucha diciendo que no busca ser vanguardia cuando en los hechos se actúa en esa dirección.

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